Лаборатория роста кристаллов - Методы и методики

 

   ◆  Металлография

   ◆  Метод Холла измерения концентрации носителей заряда

   ◆  4-х зондовый метод измерения удельного сопротивления

   ◆  Метод микротермоэдс измерения концентрации носителей заряда

   ◆  Метод измерения сопротивления растекания

   ◆  Сканирующая электронная микроскопия с использованием растрового электронного микроскопа FEI Quanta 200 3D FIB с ионной пушкой (в Центре коллективного пользования "Структурная диагностика материалов" ИК РАН)

   ◆  Масс-спектрометрия с использованием масс-спектрометра на индуктивно связанной плазме iCAP Q Thermo Sientific (в Центре коллективного пользования "Структурная диагностика материалов" ИК РАН)

   ◆  Порошковая рентгеновская дифрактометрия с использованием рентгеновского дифрактометра X'pert Pro (МPD) (λ=0,9812 Å) (в Центре коллективного пользования "Структурная диагностика материалов" ИК РАН)

   ◆  Развивается метод направленной кристаллизации полупроводников с приближением к условием диффузионного массопереноса в расплавах для выращивания высокосовершенных кристаллов

   ◆  Для роста кристаллов белков с высоким структурным совершенством развивается температурноуправляемый метод, позволяющий раздельно управлять как процессом зародышеобразования, так и процессом роста образовавшихся кристаллов

   ◆  Разрабатывается методика расчета КПД термоэлектрических генераторов, работающих без создания градиента температуры

   ◆  Разрабатывается методика подавления поперечных колебаний несущей плиты системы активной защиты от микроускорений/вибраций для увеличения запаса устойчивости обратной отрицательной связи