Лаборатория структурных исследований - Основные публикации

 

За 2015 год:

1.   И.А. Прохоров, В.Е. Асадчиков, Б.С. Рощин, В.И. Стрелов, В.Г. Ральченко, А.П. Большаков. Рентгенодифракционная характеризация синтетических кристаллов граната, алмаза и сапфира. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2015, № 5, C. 52-60.

 

За 2014 год:

1.   Н.Н. Михеев, М.А. Степович, Е.В. Широкова, М.Н. Филиппов. Методика количественного рентгеноспектрального микроанализа с учётом матричных эффектов. // Перспективные материалы, 2014, № 2, С. 77-82.

2.   Ю.А. Серебряков, В.С. Сидоров, И.А. Прохоров, Е.Н. Коробейникова, В.Н. Власов, В.К. Артемьев, В.И. Фоломеев, И.Л. Шульпина, Н.А. Паханов. Рост высокооднородных кристаллов GaSb:Te для термофотоэлектрических преобразователей энергии. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2014, № 7, С. 49-57; DOI: 10.7868/S0207352814070166.

3.   Н.Н. Михеев. Решение прямой задачи количественного рентгеноспектрального микроанализа для бинарных сплавов известного состава. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2014, № 9, С. 66-71; DOI: 10.7868/S0207352814090133.

4.   В.И. Стрелов, И.П. Куранова, Б.Г. Захаров, А.Э. Волошин. Космическая кристаллизация: результаты и перспективы. // Кристаллография, 2014, Т. 59, № 6, С. 863-890; DOI: 10.7868/S0023476114060289.

 

За 2013 год:

1.   Н.Н. Михеев, М.А. Степович, П.А. Тодуа, М.Н. Филиппов. Расчёт поправки на поглощение в рентгеноспектральном микроанализе. // Труды МФТИ, 2013, Т. 5, № 1, С. 68-71.

2.   А.В. Заблоцкий, А.Ю. Кузин, Н.Н. Михеев, Н.А. Никифорова, М.А. Степович, П.А. Тодуа, М.Н. Филиппов. Модель квадратичной рекомбинации неосновных носителей заряда в прямозонных полупроводниках для катодолюминесцентной идентификации электрофизических параметров. // Нано- и микросистемная техника, 2013, № 6, С. 10-12.

3.   В.В. Сафронов, Е.А. Созонтов, Г. Гутман. Характеризация методом Монте-Карло миниатюрного источника характеристического рентгеновского излучения на основе имплантируемой иглы. // Кристаллография, 2013, Т. 58, № 3, С. 366-369; DOI: 10.7868/S0023476113030193.

4.   А.В. Заблоцкий, А.Ю. Кузин, Н.Н. Михеев, М.А. Степович, П.А. Тодуа, Е.В. Широкова, М.Н. Филиппов. Учёт матричных эффектов при измерениях методом рентгеноспектрального микроанализа. // Измерительная техника, 2013, № 7, С. 58-61.

5.   Н.А. Никифорова, А.Н. Поляков, Н.Н. Михеев, М.А. Степович. О выборе начального приближения в методе конфлюэнтного анализа для катодолюминесцентной идентификации параметров прямозонных полупроводниковых материалов при квадратичной рекомбинации неосновных носителей заряда. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2013, № 11, С. 60-64; DOI: 10.7868/S0207352813110139.

6.   Н.Н. Михеев, М.А. Степович, Е.В. Широкова. Распределение средних потерь энергии пучка электронов по глубине образца: применение в задачах количественного рентгеноспектрального анализа. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2013, № 12, С. 84-89; DOI: 10.7868/S0207352813120123.

7.   I.A. Prokhorov, V.G. Ralchenko, A.P. Bolshakov, I.A. Subbotin, A.V. Polskiy, A.V. Vlasov, K.M. Podurets, E.M. Pashaev. Analysis of Synthetic Diamond Single Crystals by X-Ray Topography and Double-Crystal Diffractometry. // Crystallography Reports, 2013, V. 58, Issue 7, P. 1010-1016; DOI: 10.1134/S1063774513070146.

 

За 2012 год:

1.   Н.Н. Михеев, М.А. Степович, Е.В. Широкова. Новый способ расчёта матричных поправок в рентгеноспектральном микроанализе. // Прикладная физика, 2012, № 2, С. 31-35.

2.   И.Л. Шульпина, Б.Г. Захаров, Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, Ю.А. Серебряков, И.А. Прохоров. Некоторые результаты выращивания кристаллов полупроводников в условиях микрогравитации (к 50-летию полёта Ю.А. Гагарина в космос). // Физика твёрдого тела, 2012, Т. 54, № 7, С. 1264-1268. (I.L. Shul'pina, B.G. Zakharov, R.V. Parfen'ev, I.I. Farbshtein, Yu.A. Serebryakov, I.A. Prokhorov. Some Results of the Growth of Semiconductor Crystals in Microgravity Conditions (to the 50th Anniversary of Yuri Gagarin's Flight into Space). //Physics of the Solid State, 2012, V. 54, № 7, P. 1340-1344; DOI: 10.1134/S1063783412070323.)

3.   Ю.А. Серебряков, В.Н. Власов, В.С. Сидоров, И.А. Прохоров, И.Л. Шульпина, Е.Н. Коробейникова. Сравнительные исследования особенностей формирования примесной неоднородности в кристаллах GaSb:Te при направленной кристаллизации в космических и наземных условиях. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2012, № 7, С. 59-67. (Yu.A. Serebryakov, V.N. Vlasov, V.S. Sidorov, I.A. Prokhorov, I.L. Shul'pina, E.N. Korobeinikova. Comparative Studies of the Features of the Formation of Impurity Heterogeneity in GaSb:Te Crystals in the Case of Directed Crystallization Under Space and Ground Conditions. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2012, V. 6, № 4, P. 604-611; DOI: 10.1134/S1027451012070117.)

4.   Н.Н. Михеев, М.А. Степович, Е.В. Широкова. Учёт матричных эффектов при локальном электронно-зондовом анализе с использованием новой модели функции распределения по глубине рентгеновского характеристического излучения. // Известия Российской академии наук. Серия Физическая, 2012, Т. 76, № 9, С. 1086-1089. (N.N. Mikheev, M.A. Stepovich, E.V. Shirokova. Allowing for Matrix Effects in Local Electron-Probe Analysis Using a New Model of the Distribution Function for the Depth of Characteristic X-ray Radiation. // Bulletin of Russian Academy Sciences. Physics, 2012, V. 76, № 9, P. 974-977; DOI: 10.3103/S1062873812090122.)

5.   И.Л. Шульпина, И.А. Прохоров. Рентгеновская дифракционная топография в физическом материаловедении (Посвящается 100-летию открытия дифракции рентгеновских лучей). // Кристаллография, 2012, Т. 57, № 5, С. 745-754. (I.L. Shul'pina, I.A. Prokhorov. X-Ray Diffraction Topography for Materials Science (On the 100th anniversary of the discovery of X-ray diffraction). // Crystallography Reports, 2012, V. 57, № 5, P. 740-749; DOI: 10.1134/S106377451205015X.)

6.   В.В. Сафронов, В.И. Стрелов, Н.В. Кривоногова, И.Г. Великотская, А.А. Хвостова, М.В. Бочарова. Золь гель пленки с иммобилизованными кислотно основными индикаторами. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2012, № 12, С. 44-49. (V.V. Safronov, V.I. Strelov, N.V. Krivonogova, I.G. Velikotskaya, A.A. Khvostova, M.V. Bocharova. Sol Gel Films with Immobilized Acid Base Indicators. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2012, V. 6, № 6, P. 985-989; DOI: 10.1134/S1027451012120105.)

 

За 2011 год:

1.   И.А. Прохоров, Б.Г. Захаров, В.Е. Асадчиков, А.В. Буташин, Б.С. Рощин, А.Л. Толстихина, М.Л. Занавескин, Ю.В. Грищенко, А.Э. Муслимов, И.В. Якимчук, Ю.О. Волков, В.М. Каневский, Е.О. Тихонов. Характеризация монокристаллических подложек лейкосапфира рентгеновскими методами и атомно-силовой микроскопией. // Кристаллография, 2011, Т. 56, № 3, С. 490-496. (I.A. Prokhorov, B.G. Zakharov, V.E. Asadchikov, A.V. Butashin, B.S. Roshchin, A.L. Tolstikhina, M.L. Zanaveskin, Yu.V. Grishchenko, A.E. Muslimov, I.V. Yakimchuk, Yu.O. Volkov, V.M. Kanevskii, E.O. Tikhonov. Characterization of Single-Crystal Sapphire Substrates by X-Ray Methods and Atomic Force Microscopy. // Crystallography Reports, 2011, V. 56, № 3, P. 456-462; DOI: 10.1134/S1063774511030242.)

2.   С.А. Дворецкий, Ю.Н. Долганин, В.В. Карпов, Н.Н. Михайлов, Н.Н. Михеев, А.А. Муханова, А.Н. Поляков, М.А. Степович. Электронно-зондовый микроанализ гетероэпитаксиальных структур HgCdTe с буферными слоями CdTe. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2011, № 10, С. 22-28. (S.A. Dvoretskii, Yu.N. Dolganin, V.V. Karpov, N.N. Mikhailov, N.N. Mikheev, A.A. Mukhanova, A.N. Polyakov, M.A. Stepovich. Electron Probe Microanalysis of HgCdTe Heteroepitaxial Structures with CdTe Buffer Layers. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2011, V. 5, № 5, P. 934-940; DOI: 10.1134/S1027451011100077.)

3.   I.L. Shul'pina, R.N. Kyutt, V.V. Ratnikov, I.A. Prokhorov, I.Zh. Bezbakh, M.P. Shcheglov. X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2011, V. 14, № 1, P. 62-70.

 

За 2010 год:

1.   Е.А. Созонтов, В.В. Сафронов, Г. Гутман. Рентгеновский источник на основе компактного линейного ускорителя электронов с тонким анодом. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2010, № 3, С. 22-25. (E.A. Sozontov, V.V. Safronov, G. Gutman. X-Ray Source Based on a Compact Electron Linear Accelerator with a Thin Anode. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2010, V. 4, № 2, P. 199-202; DOI: 10.1134/S1027451010020047.)

2.   И.Л. Шульпина, Р.Н. Кютт, В.В. Ратников, И.А. Прохоров, И.Ж. Безбах, М.П. Щеглов. Методы рентгеновской дифракционной диагностики сильнолегированных монокристаллов полупроводников. // Журнал технической физики, 2010, Т. 80, № 4, С. 105-114. (I.L. Shul'pina, R.N. Kyutt, V.V. Ratnikov, I.A. Prokhorov, I.Zh. Bezbakh, M.P. Shcheglov. X-Ray Diffraction Diagnostics Methods As Applied to Highly Doped Semiconductor Single Crystals. // Technical Physics, 2010, V. 55, № 4, P. 537-545; DOI: 10.1134/S1063784210040183.)

3.   Н.Н. Михеев. Наиболее вероятные и средние потери энергии пучка моноэнергетических заряженных частиц средней и низкой энергии в веществе при многократном рассеянии. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2010, № 4, С. 25-30. (N.N. Mikheev. Most Probable and Average Energy Losses of the Beam of Monoenergetic Charge Particles with Average and Low Energies at Multiple Scattering. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2010, V. 4, № 2, P. 289-294; DOI: 10.1134/S1027451010020217.)

4.   Н.Н. Михеев, М.А. Степович, Е.В. Широкова. Функция распределения по глубине рентгеновского характеристического излучения при локальном электронно-зондовом анализе. // Известия Российской академии наук. Серия Физическая, 2010, Т. 74, № 7, С. 1049-1053. (N.N. Mikheev, M.A. Stepovich, E.V. Shirokova. An X-Ray Fluorescence Depth Distribution Function for Electron Beam Microanalysis. // Bulletin of Russian Academy Sciences. Physics, 2010, V. 74, № 7, P. 1002-1006; DOI: 10.3103/S1062873810070245.)

5.   Т.И. Ковтунова, Н.Н. Михеев, А.Н. Поляков, М.А. Степович. Об одной возможности математического моделирования зависимости интенсивности катодолюминесценции от энергии электронов пучка при идентификации параметров полупроводниковых материалов с использованием аппроксимации степенными рядами. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2010, № 9, С. 95-100. (T.I. Kovtunova, A.N. Poljakov, N.N. Mikheev, M.A. Stepovich. On One Possibility of the Mathematical Modeling of the Dependence of Cathodoluminescence Intensity on the Energy of Beam Electrons with the Use of Power Series Approximation in the Problem of Identifying the Parameters of Semiconductor Materials. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2010, V. 4, № 5, P. 778-783; DOI: 10.1134/S1027451010050150.)