Лаборатория пленочных и острийных структур

 

Кристаллические объекты с их разнообразными структурными и физическими свойствами являются основой многих разделов современной науки. Поэтому изучение механизмов роста, разработка оптимальных технологических методов выращивания кристаллов дают возможность получения кристаллических объектов с заданными свойствами для их всестороннего изучения и использования на практике.

Лаборатория плёночных и острийных структур занимается изучением механизмов роста и разработкой технологических методов выращивания монокристаллических плёнок и нитевидных кристаллов (вискеров) полупроводников.

За годы работы (с 1955 года) были изучены механизм роста, структура и ряд физических свойств плёнок и нитевидных кристаллов полупроводников широкого класса (IV группы, AIIIBY, AIIBIV). Предложен, впервые осуществлён и исследован механизм роста эпитаксиальных плёнок из газовой фазы с участием химических реакций. Этот метод до настоящего времени является одним из самых используемых в микроэлектронике.

Предложен, впервые осуществлён и исследован метод искусственной эпитаксии, позволяющий получать монокристаллические плёнки на неориентирующих (аморфных) подложках. Этот метод также широко используется в современной микроэлектронике. Кроме того, этот метод позволил впервые получить монокристаллические плёнки биологических кристаллов в земных условиях и в космосе.

Разработан метод выращивания и исследован механизм роста нитевидных кристаллов полупроводников. Предложен метод получения ориентированных и регулярных (впервые) структур нитевидных кристаллов на монокристаллической подложке. На основе таких структур кремния после их заострения до нанометрических размеров радиуса закругления на вершине получены эффективные катоды, стабильно работающие в техническом вакууме.

Все эти, а также другие разработки, выполненные в лаборатории, оцениваются по свойствам полученных кристаллических объектов в сотрудничестве с другими лабораториями ИК РАН, а также с другими Институтами, что позволяет совершенствовать технологии выращивания, а также находить новые применения полученных кристаллических объектов и систем.