Лаборатория пленочных и острийных структур - Основные научные достижения

 

Впервые выполнены исследования процесса роста методом пар-жидкость-кристалл и выращены нитевидные кристаллы (вискеры) широкого класса полупроводников (IV группы, AIIIBV, AIIBVI).

Впервые предложен и разработан метод выращивания регулярных структур вискеров на примере вискеров кремния, как наиболее важного материала для микроэлектроники.

Разработан метод заострения кремниевых вискеров до нанометрических размеров радиуса закругления на вершине с целью создания кремниевых эмиссионных источников электронов, а также для создания кремниевых зондов для атомно-силовой микроскопии.

Эффективное заострение вискеров кремния позволило создать высококачественные кремниевые зонды для атомно-силовой микроскопии.

На основе многоострийных регулярных кремниевых систем впервые получены эффективные источники тока, работающие в техническом вакууме (совместная работа с Санкт-Петербургским государственным политехническим университетом).

Впервые предложен и разработан метод искусственной эпитаксии для выращивания монокристаллических плёнок полупроводников и других кристаллов на неориентирующих (аморфных) подложках.

Впервые получены сплошные монокристаллические плёнки кремния на аморфных подложках с искусственным рельефом (искусственная эпитаксия) методом лазерной перекристаллизации.

Впервые получены при кристаллизации из газовой фазы сплошные монокристаллические плёнки CdS, ZnS и ZnO большой площади на аморфных подложках с искусственным рельефом, т.е. методом искусственной эпитаксии.

Впервые исследованы процессы роста биологических кристаллов и плёнок на аморфных подложках в земных и космических условиях. Разработана аппаратура нового поколения для кристаллизации биологических кристаллов и плёнок в космосе.

Впервые исследован процесс образования нанопроволок из вискеров кремния. Показано, что возможно получить нанопроволоки диаметром ≤ 5 нм в оболочке из окиси кремния. Такие размеры нанопроволок необходимы для того, чтобы кремний стал оптически активным материалом.