Лаборатория роста тонких пленок и неорганических наноструктур - Основные публикации

 

За 2014 год:

1.   А.В. Буташин, В.М. Каневский, А.Э. Муслимов, Е.В. Ракова, В.И. Михайлов, В.А. Бабаев, А.М. Исмаилов, М.Х. Рабаданов. Особенности роста пленок AIIBVI на подложках (0001) Al2O3. // Кристаллография, 2014, Т. 59, № 3, С. 459-462.

2.   В.П. Власов, А.В. Буташин, В.М. Каневский, А.Э. Муслимов, В.А. Бабаев, А.М. Исмаилов, М.Х. Рабаданов. Подавление ростовых доменов в эпитаксиальных пленках ZnO на структурированной поверхности (0001) лейкосапфира. // Кристаллография, 2014, Т. 59, № 3, С. 463-466.

3.   В.И. Михайлов, В.М. Каневский, Л.Е. Поляк, А.С. Писарев. Масс-спектрометрическое исследование конденсации пленки Те на сапфире и ее испарения. // Поверхность. Рентгеновские и нейтронные исследования, 2014, № 4, С. 5-8.

4.   В.П. Власов, А.В. Буташин, В.М. Каневский, А.Э. Муслимов, Л.Е. Ли, Е.В. Ракова, В.А. Бабаев, А.М. Исмаилов. Влияние ансамблей наночастиц золота на рост ZnO на поверхности (0001) сапфира. // Кристаллография, 2014, Т. 59, № 5, С. 806-808.

5.   А.В. Буташин, В.М. Каневский, А.Э. Муслимов, А.Л. Васильев, Ю.Н. Эмиров, Е.В. Ракова, А.С. Голубева, А.М. Клевачев. Сапфировые подложки с регулярным рельефом на поверхности. // Кристаллография, 2014, Т. 59, № 5, С. 802-805.

 

За 2013 год:

1.   В.Е. Асадчиков, А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, В.М. Каневский, А.Н. Дерябин, В.А. Павлов. Структурный вклад в шероховатость сверхгладкой кристаллической поверхности. // Кристаллография, 2013, Т. 58, № 3, С. 473-477.

2.   А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, В.М. Каневский, В.А. Федоров. Неювелирное призвание сапфира. // Природа, 2013, № 11, С. 4-9.

3.   V.E. Asadchikov, A.V. Butashin, V.M. Kanevsky, A.E. Muslimov, B.S. Roshchin. Synthetic Sapphire: Growth and Surface Investigations. // in book Sapphire: Structure, Technology, and Application, ed. I. Tartaglia, Nova Science Publishers, NY, 2013, Р. 35-75.

 

За 2012 год:

1.   А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, А.А. Коновко, И.С. Смирнов, Б.С. Рощин, Ю.О. Волков, А.А. Ангелуц, А.В. Андреев, А.П. Шкуринов, В.М. Каневский, В.Е. Асадчиков. Упорядоченные наноструктуры золота на поверхности сапфира: получение и оптические исследования. // Кристаллография, 2012, Т. 57, № 3, С. 471-476.

2.   Е.В. Антонов, Х.С. Багдасаров, А.В. Буташин, В.М. Каневский, Б.В. Набатов, В.А. Федоров. Кристаллы YAG:Yb для широкоапертурных лазеров и усилителей. // Перспективные материалы, 2012, № 6.

3.   А.В. Буташин, В.П. Власов, В.М. Каневский, А.Э. Муслимов, В.А. Федоров. Особенности формирования террасно-ступенчатых наноструктур на (0001) поверхности кристаллов сапфира. // Кристаллография, 2012, Т. 57, № 6, С. 927-933.

4.   В.Е. Асадчиков, В.М. Каневский, И.В. Кожевников, Б.С. Рощин, Ю.О. Волков, А.Э. Муслимов, М.Л. Занавескин. Анализ шероховатости поверхности методами рентгеновского рассеяния и атомно-силовой микроскопии. // Мир измерений, 2012, № 7, С. 11-17.

5.   В.Е. Асадчиков, В.М. Каневский, А.Э. Муслимов. Нанорельефные подложки лейкосапфира. // LAP Lambert Academic Publishing, 2012.

 

За 2011 год: 

1.   И.А. Прохоров, Б.Г. Захаров, В.Е. Асадчиков, А.В. Буташин, Б.С. Рощин, А.Л. Толстихина, М.Л. Занавескин, Ю.В. Грищенко, А.Э. Муслимов, И.В. Якимчук, Ю.О. Волков, В.М. Каневский, Е.О. Тихонов. Характеризация монокристаллических подложек лейкосапфира рентгеновскими методами и атомно-силовой микроскопией. // Кристаллография, 2011, Т. 56, № 3, С. 515-521.

2.   А.Э. Муслимов, Ю.О. Волков, В.Е. Асадчиков, В.М. Каневский, Б.С. Рощин, В.П. Власов. Применение различных методик атомно-силовой микроскопии для детальной диагностики золотых нанопокрытий на поверхности монокристаллического лейкосапфира. // Кристаллография, 2011, Т. 56, № 3, С. 545-554.

3.   В.М. Каневский. Размерные эффекты механохимии оксидов. // Кристаллография, 2011, Т. 56, № 4, С. 711-718.

4.   В.И. Михайлов, А.В. Буташин, В.М. Каневский, Л.Е. Поляк, Е.В. Ракова, А.Э. Муслимов, В.Б. Кварталов. Исследование молекулярно-лучевой эпитаксии теллурида кадмия на сапфире. // Поверхность. Рентгеновские и нейтронные исследования, 2011, № 6, С. 1-6.

 

За 2010 год:

1.   M.D. Pavlyuk, V.M. Kanevsky, V.F. Dvoryankin, A.A. Kudryashov, A.G. Petrov, Yu.M. Ivanov. Manufacturing detectors for digital X-ray images of melt-grown CdTe and CdZnTe single crystals. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A, 2010, V. 624, Issue 2, P. 482-485.

 

Патенты:

1.   Дистлер Г.И., Шнырев Г.Д., Герасимов Ю.М., Буликова Г.С., Добржанский Г.Ф., Кортукова Е.И., Охрименко Т.М., Постников С.Н., Рябинин Л.А., Сидоров В.П. Изобретение "Способ выращивания монокристаллов". Авторское свидетельство СССР № 1088411 получено в 1983 г.

2.   Иванов Ю.М., Поляков А.Н., Зенкова М.Д., Каневский В.М. Патент на полезную модель "Установка для выращивания кристаллов" получен в 2006 г. Номер патента 51030.

3.   Ковальчук М.В., Тихонов Е.О., Дерябин А.Н., Каневский В.М. Патент на полезную модель "Установка для горизонтальной односторонней очистки поверхности круглых пластин полупроводниковых и оптических материалов" получен в 2006 г. Номер патента 53592.

4.   Тихонов Е.О., Дерябин А.Н., Каневский В.М. Патент на изобретение "Способ изготовления нанополированных пластин из карбида кремния" получен в 2006 г. Номер патента 2345442.

5.   Тихонов Е.О., Дерябин А.Н., Каневский В.М. Патент на изобретение "Способ предэпитаксиальной обработки полированных подложек из карбида кремния" получен в 2007 г. Номер патента 2345443.

6.   Буташин А.В., Каневский В.М., Семенов В.Б., Федоров В.А., Занавескин М.Л. Патент на полезную модель "Контейнер для отжига оксидных монокристаллов" получен в 2008 г. Номер патента 73877.

7.   Тихонов Е.О., Дерябин А.Н., Каневский В.М. Патент на изобретение "Установка двухсторонней вертикальной очистки поверхности круглых пластин полупроводниковых и оптических материалов" получен в 2008 г. Номер патента 2327247.

8.   Ковальчук М.В., Тихонов Е.О., Дерябин А.Н., Каневский В.М. Патент на изобретение "Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов" получен в 2008 г. Номер патента 2337429.

9.   Иванов Ю.М., Поляков А.Н., Зенкова М.Д., Артемов В.В., Каневский В.М. Патент на изобретение "Способ выращивания монокристалла теллурида кадмия" получен в 2008 г. Номер патента 2341594.

10. Буташин А.В., Каневский В.М., Федоров В.А., Занавескин М.Л., Грищенко Ю.В., Шилин Л.Г., Толстихина А.Л. Патент на полезную модель "Метрологический тестовый образец" получен в 2008 г. Номер патента 79992.