Лаборатория пленочных и острийных структур - Основные публикации

За 2015 год: 

1.   Г.Г. Соминский, Т.А. Тумарева, Е.П. Тарадаев, М.В. Мишин, А.Н. Степанова. Многоострийные полупроводниковые полевые эмиттеры с двухслойными защитными покрытиями нового типа. // Журнал технической физики, 2015, Т. 85, Выпуск 1, С. 138-141.

2.   С.С. Баскакова, С.И. Ковалёв, В.А. Крамаренко, Л.А. Задорожная, М.С. Лясникова, Ю.М. Дымшиц, А.Э. Волошин, М.В. Ковальчук. Новая научная аппаратура "Белка" для кристаллизации белков в условиях микрогравитации и её апробация на космическом аппарате "БИОН-М" № 1. // Кристаллография, 2015, Т. 60, № 1, С. 151-158.

За 2014 год:

1.   Н.К. Морозова, А.А. Канахин, В.Г. Галстян, А.С. Шнитников. Аномальная серия полос в спектрах краевого свечения CdS(O). // Известия высших учебных заведений. Физика, 2014, Т. 57, Выпуск 10, С. 122-126.

За 2013 год:

1.   G.G. Sominski, V.E. Sezonov, E.P. Taradaev, N.A. Tumareva, E.I. Givargizov, A.N. Stepanova. Cold field emitters for electron devices operating in technical vacuum. // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки, 2013, № 4-2 (182), С. 136-141.

За 2010 год:

1.   А.М. Потапова, М.Е. Гиваргизов, Т.Л. Кулова, А.М. Скундин, А.Н. Степанова, Е.И. Гиваргизов. Создание регулярных ориентированных систем кремниевых нановискеров и результаты их использования в качестве катодов в литий-ионных аккумуляторах. // Техника машиностроения, 2010, № 1, С. 37-42.

2.   А.Н. Степанова, В.И. Муратова, Л.Н. Оболенская, О.М. Жигалина, Н.А. Киселёв, Е.И. Гиваргизов. Исследование процессов образования нанопроволок из вискеров кремния. // Кристаллография, 2010, Т. 55, № 3, С. 538-544.

За 2009 год:

1.   Н.К. Морозова, Н.Д. Данилевич, В.М. Семенов, В.Г. Галстян, В.И. Олешко, С.С. Вильчинская, В.М. Лисицын. Некоторые особенности прикраевой люминесценции CdS(O) с позиций теории непересекающихся зон. // Известия высших учебных заведений. Электроника, 2009, № 1, С. 3-11.

2.   Е.И. Гиваргизов. Специальные вискерные зонды для нанодиагностики. // Кристаллография, 2009, Т. 54, № 4, С. 665-671.

Патенты:

1.   Ковальчук М.В., Любутин И.С., Гиваргизов Е.И., Задорожная Л.А., Дымшиц Ю.М., Шилин Ю.Н., Червяков А.О. Патент на изобретение "Устройство для кристаллизации" получен в 2007 г. Номер патента 2307204.