Разработана новая методика оценки эксплуатационной стабильности полупроводниковых материалов

 

Сотрудники Лаборатории квантовой химии и молекулярного моделирования Центра фотохимии ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН предложили вычислительную методику для оценки эксплуатационной стабильности полупроводниковых материалов, используемых в органических светоизлучающих устройствах (OLED).

Разработанная технология позволяет направленно отбирать молекулы органических полупроводников, наиболее устойчивые в условиях работы OLED, без трудоемких и затратных экспериментов. В работе применен метод многоконфигурационного самосогласованного поля и многоконфигурационной теории возмущений, поскольку рассматривались возбужденные и заряженные состояния различной природы, и их надо было моделировать с одинаковой точностью.

Суть методики состоит в том, что ищут слабые связи между атомами и оценивают их энергию диссоциации, причем делается это как для нейтральных молекул, так и для заряженных, поскольку полупроводники в излучающем слое OLED проводят как электроны, так и дырки. Разность энергии разрыва связи и энергии возбужденного состояния молекулы дает оценку устойчивости молекулы в условиях транспорта электронов, дырок или экситонов. Таким образом, энергия разрыва связи в нейтральном и заряженных состояниях и энергия синглетного и триплетного возбуждения являются теми дескрипторами, которые определяют эксплуатационную стабильность органических полупроводников. На основе этих величин можно давать рекомендации по оптимальным условиям использования полупроводниковых молекул в слоях OLED.

Сообщения в прессе:

Пресс-служба ФАНО России

"Газета.ру"