Основные публикации
За 2020 г:
1. G.N. Kozhemyakin, S.A. Zayakin. High magneto resistance in Bi0.91Sb0.09 single crystals doped Te and Sn. // Journal of Applied Physics, 2020. V. 127. P. 133904.
DOI: 10.1063/1.5145166.
2. Е.Б. Баскаков, В.И. Стрелов, Ю.Н. Бендрышев. Исследование влияния ультразвука на адгезию в тонкопленочных термоэлектрических генераторах на основе SmS. // Кристаллография, 2020. С. 618-622.
DOI: 0.31857/S0023476120040025ы.
3. E.B. Baskakov, V.I. Strelov, U.N. Bendrishev. Study of the Influence of Ultrasound on the Adhesion in Thin-Film Thermoelectric Generators Based on SmS. // Crystallography Reports, 2020. V. 65. P. 618–621.
DOI: 10.1134/S1063774520040021.
4. Г.Н. Кожемякин, В.И. Стрелов, В.С. Сидоров, Е.Н. Коробейникова. Влияние низкого осевого градиента температуры на выращивание кристаллов Ge(Ga) вертикальным методом Бриджмена. // Кристаллография, 2020. С. 824–831.
DOI: 10.31857/S0023476120050136.
За 2019 г:
1. Z.I. Bezbakh, V.P. Ginkin, V.V. Safronov, V.I. Strelov, B.G. Zakharov. Mathematical modeling of lysozyme crystal growth under thermal control field for terrestrial and space conditions. // Journal of Molecular Liquids, 2019. V. 283. P. 652–659.
DOI: 10.1016/j.molliq.2019.03.042.
2. В.И. Стрелов, В.П. Гинкин, И.Ж. Безбах. Моделирование роста биокристаллов с помощью температурного поля. // Кристаллография, 2019. С. 321–326.
DOI: 10.1134/S0023476119020309.
3. V.I. Strelov, V.P. Ginkin, I.Z. Bezbakh. Modeling of the Biocrystal Growth Using Temperature Field. // Crystallography Reports, 2019. V. 64. P. 348–353.
DOI: 10.1134/S1063774519020305.
4. Е.Н. Коробейникова, И.А. Прохоров, В.И. Стрелов. Развитие методов управления процессом роста кристаллов с помощью тепловых воздействий на расплав. // Кристаллография, 2019. С. 462–465.
DOI: 10.1134/S0023476119030160.
5. E.N. Korobeynikova, I.A. Prokhorov, V.I. Strelov. Development of Methods for Controlling Crystal Growth Using Thermal Effect on Melt. // Crystallography Reports, 2019. V. 64. P. 484–487.
DOI: 10.1134/S1063774519030155.
6. В.Н. Власов, В.И. Стрелов, Е.Н. Коробейникова. Метод оперативного контроля однородности распределения электрофизических свойств полупроводниковых материалов. // Приборы и техника эксперимента, 2019. С. 114–118.
DOI: 10.1134/S0032816219040311.
7. V.N. Vlasov, V.I. Strelov, E.N. Korobeinikov. Method of Operational Control of the Homogeneity of the Distribution of the Electrical Properties of Semiconductor Materials. // Instruments and Experimental Techniques, 2019. V. 62. Р. 698–702.
DOI: 10.1134/S0020441219040249.
8. В.И. Стрелов, Е.Б. Баскаков, Ю.Н. Бендрышев, В.М. Каневский. Особенности получения тонких пленок для термопреобразователей на основе SmS. // Кристаллография, 2019. С. 281–284.
DOI: 10.1134/S0023476119020292.
9. V.I. Strelov, E.B. Baskakov, Y.N. Bendryshev, V.M. Kanevsky. Specific Features of the Formation of Thin Films for SmS-Based Thermoelectric Generators. // Crystallography Reports, 2019. V. 64. P. 311–314.
DOI: 10.1134/S1063774519020299.
10. Г.Н. Кожемякин, О.Е. Брыль, Е.А. Панич, А.И. Догалюк, И.В. Савицкий, А.А. Ярмов. Особенности формирования наночастиц галлия, индия, висмута и сурьмы. // Кристаллография, 2019. С. 308–313.
11. Г.Н. Кожемякин, С.А. Кийко, О.Е. Брыль. Получение наночастиц индия методом термического испарения. // Кристаллография, 2019. С. 428–431.
12. G.N. Kozhemyakin.
13. И.С. Волчков, Е.Б. Баскаков, В.И. Стрелов, В.М. Каневский. Исследование зеренной структуры мишеней SmS, полученных при различных условиях. // Письма в ЖТФ, 2019. С. 12–15.
DOI: 10.21883/0000000000.
14. I.S. Volchkov, E.B. Baskakov, V.I. Strelov, V.M. Kanevsky. Studying the Grain Structure of SmS Targets Manufactured under Variable Conditions. // Technical Physics Letters, 2019. V. 45. P. 1127–1130.
DOI: 10.1134/S1063785019110294.
15. В.А. Мелик-Шахназаров, В.И. Стрелов, Д.В. Софиянчук, А.А. Трегубенко. Динамические звенья и границы эффективности активных виброзащитных устройств. // Известия РАН. Теория и системы управления, 2019. С. 90–97.
DOI: 10.1134/S0002338819020136.
16. V.A. Melik-Shakhnazarov, V.I. Strelov, D.V. Sofiyanchuk, A.A. Tregubenko. Dynamic Blocks and Efficacy Bounds of Active Vibration Isolation Systems. // Journal of Computer and Systems Sciences International, 2019. V. 58. P. 244–251.
DOI: 10.1134/S1064230719020138.
За 2018 г:
1. Г.Н. Кожемякин, В.К.Артемьев, В.И.Стрелов, В.С. Сидоров, Е.Н. Коробейникова Поведение расплава в вертикальном методе Бриджмена с низким аксиальным градиентом температуры. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2018. С. 98–105.
DOI: 10.7868/S0207352818030150.
2. G.N. Kozhemyakin, V.K. Artemyev, V.I. Strelov, V.S.Sidorov, E.N. Korobeynikova. Behavior of the Melt in the Vertical Bridgman Method with a Low Axial Temperature Gradient. // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2018. V. 12. P. 243–250.
DOI: 10.1134/S1027451018020118.
3. В.А. Мелик-Шахназаров, В.И. Стрелов, Д.В. Софиянчук, А.А. Трегубенко Активные виброзащитные устройства с инерционными сервисными движителями. // Космические исследования, 2018. С. 156–159.
DOI: 10.7868/S0023420618020085.
4. V.A. Melik-Shakhnazarov, V.I. Strelov, D.V. Sofiyanchuk, A.A. Tregubenko. Active Vibration Isolation Devices with Inertial Servo Actuators. //Cosmic Research, 2018. V. 56. P. 140–143.
DOI: 10.1134/S0010952518020053.
5. В.И. Стрелов, И.А. Прохоров, Е.Н. Коробейникова, В.С. Сидоров, В.Н. Власов, В.К. Артемьев. Развитие технологии роста высокооднородных кристаллов полупроводников. // Кристаллография, 2018. С. 307–310.
DOI: 10.7868/S002347611802025X.
6. V.I. Strelov, I.A. Prokhorov, E.N. Korobeinikova, V.S. Sidorov, V.N. Vlasov, V.K. Artemiev. Development of the Growth Technology of Highly Homogeneous Semiconductor Crystals. //Crystallography Reports, 2018. V. 63. P. 284–286.
DOI: 10.1134/S1063774518020281.
7. В.И. Стрелов, Б.Г. Захаров, Е.Н. Коробейникова, И.Ж. Безбах. Управление микро- и макрооднородностью свойств легированных кристаллов полупроводников. // Известия РАН. Серия физическая, 2018. С. 1322–1328.
DOI: 10.1134/S0367676518090235.
8. V.I. Strelov, B.G. Zakharov, E.N. Korobeinikova, I. Z. Bezbakh. Controlling the Micro- and Macrohomogeneity of the Propertiesof Doped Semiconductor Crystals. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2018. V. 82. P. 1203–1208.
DOI: 10.3103/S106287381809023X.
9. И.А. Прохоров, Б.Г. Захаров, В.И Стрелов. Совершенствование технологии роста кристаллов со структурой граната на основе рентгенодифракционных данных. // Кристаллография, 2018. С. 713–718.
DOI: 10.1134/S0023476118050259.
10. I.A. Prokhorov, B.G. Zakharov, V.I. Strelov. Optimization of the Growth Technology for Crystals with Garnet Structure Based on X-Ray Diffraction Data. // Crystallography Reports, 2018. V. 63. P. 729–733.
DOI: 10.1134/S1063774518050255.
11. В. И. Стрелов, Б.Г. Захаров, И.Ж. Безбах, В.В. Сафронов, Б.В. Чернышев, И.Н. Дутышев. Реализация температурно-управляемого метода кристаллизации белков в условиях микрогравитации. // Кристаллография, 2018. Т. 6. С. 163–168.
DOI: 10.7868/S0023476118010198.
12. V.I. Strelov, B.G. Zakharov, I. Zh. Bezbakh, V.V. Safronov, B.V. Chernyshev, I.N. Dutyshev. Implementation of Temperature-Controlled Method of Protein Crystallization in Microgravity. // Crystallography Reports, 2018. V. 63. P. 149–153.
DOI: 10.1134/S1063774518010194.
За 2017 г:
1. В.А. Мелик-Шахназаров, В.И. Стрелов, Д.В. Софиянчук, А.А. Трегубенко Функции передачи электродинамических преобразователей в цепях управления активных виброзащитных устройств. // Инженерная физика, 2017. С. 20–26.
2. И.Н. Радченко, И.Ж. Безбах Визуализация решения задач квантовой механики методами математического моделирования. // Электронный журнал: наука, техника и образование, 2017. С. 1–6.
3. G.N. Kozhemyakin, S.A. Zayakin. Magnetoresistance in doped
4. Б.М. Логинов, А.П. Коржавый, В.И. Стрелов, М.Б. Логинова, Е.В. Маслов, К.Г. Никифоров. Закономерности проявления приливного ускорения в условиях микрогравитации. // Электромагнитные волны и электронные системы, 2017. Т. 22. С. 36–47.
5. Б.М. Логинов, А.П. Коржавый, В.И. Стрелов, М.Б. Логинова, Е.В. Маслов, С.С. Стрельченко. Разработка вычислительного комплекса для анализа приливного ускорения в условиях микрогравитации. // Электромагнитные волны и электронные системы, 2017. С. 36–47.
За 2016 г:
1. I.L. Shulpina, I.A. Prokhorov, Y.A. Serebryakov, I.Z. Bezbakh. Application of X-ray topography to USSR and Russian space material science. // International Union of Crystallography Journal, 2016. V. 3. P. 200–210.
2. G.N. Kozhemyakin. Crystal Growth of BixSb1-x Solid Solutions with Ultrasound Presence in Two Orthogonal Directions. // Crystal Growth & Design, 2016. V. 16. P. 6269–6274.
3. В.И. Стрелов, Б.Г. Захаров, В.К. Артемьев. Макронеоднородность свойств кристаллов полупроводников, обусловленная спецификой поведения расплава в условиях микрогравитации. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2016. С. 38–49.
DOI: 10.7868/S020735281610022Х.
4. V.I. Strelov, B.G. Zakharov, V.K. Artemiev. Macroinhomogeneity of the properties of semiconductor crystals due to the specifics of the melt’s behavior under microgravity conditions. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2016. V. 10. P. 1023–1033.
DOI: 10.1134/S1027451016050426
5. В.И. Стрелов, Ю.Н. Бендрышев, В.Г. Косушкин. Высокоэффективные теплоотводы нового поколения для электронных изделий. // Прикладная физика, 2016. С. 86–92
За 2014 год:
1. И.Ж. Безбах, Б.Г. Захаров, В.И. Стрелов. Установка выращивания биокристаллов с активным управлением процессом кристаллизации. // Инженерный журнал: наука и инновации, 2014, Выпуск № 3.
2. Ю.А. Серебряков, В.С. Сидоров, И.А. Прохоров, Е.Н. Коробейникова, В.Н. Власов, В.К. Артемьев, В.И. Фоломеев, И.Л. Шульпина, Н.А. Паханов. Рост высокооднородных кристаллов GaSb:Te для термофотоэлектрических преобразователей энергии. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2014, № 7, С. 49-57.
3. И.Ж. Безбах, В.С. Сидоров, В.И. Стрелов. Способ выращивания кристаллов в условиях управляемого градиента температуры в расплаве. // Инженерный журнал: наука и инновации, 2014, Выпуск № 8.
4. В.И. Стрелов, И.П. Куранова, Б.Г. Захаров, А.Э. Волошин. Космическая кристаллизация: результаты и перспективы. // Кристаллография, 2014, Т. 59, № 6, С. 863-890.
За 2013 год:
1. Б.Г. Киселев, А.В. Костикова (Костяева), А.В. Попкова, В.В. Козлов, А.Р. Садыкова. Технико-экономическое обоснование и определение рыночной стоимости технологии производства металлоуглеродного нанокомпозита FeNi3/C. // Цветные металлы, 2013, № 1, С. 6-10.
2. В.А. Мелик-Шахназаров, В.И. Стрелов, Д.В. Софиянчук, И.Ж. Безбах. Активные двухкаскадные виброзащитные устройства. // Приборы и техника эксперимента, 2013, № 2, С. 105-110.
3. Л.В. Кожитов, Нгуен Хонг Вьет, А.В. Костикова (Костяева), И.В. Запороцкова, В.В. Козлов. Моделирование структуры углеродного материала на основе полиакрилонитрила, полученного под действием ИК нагрева. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 2013, № 3, С. 39-42.
4. Нгуен Хонг Вьет, А.В. Костикова, В.В. Козлов, Нгуен Куанг Тхыон. Исследование влияния содержания атомов N и H в углеродном материале на стабильность химической структуры с помощью квантово-химического расчета MNDO. // Наукоемкие технологии, 2013, Т. 14, № 10,
5. L.V. Kozhitov, V.V. Kozlov, A.V. Kostikova (Kostiaeva), A.V. Popkova. Novel Metal Carbon Nanocomposites and Carbon Nanocrystalline Material with Promising Properties for the Development of Electronics. // Russian Microelectronics, 2013, V. 42, Issue 8, P. 498-507.
За 2012 год:
1. В.А. Мелик-Шахназаров, В.И. Стрелов, Д.В. Софиянчук, И.Ж. Безбах. Новая конструкция активных виброзащитных устройств. // Письма в Журнал технической физики, 2012, Т. 38, № 6, С. 61-67.
2. Л.В. Кожитов, А.В. Костикова (Костяева), В.В. Козлов, В.А. Тарала. Структурные особенности нанокомпозита FeNi3/C, полученного при ИК-нагреве. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 2012, № 2, C. 61-64.
3. И.Л. Шульпина, Б.Г. Захаров, Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, Ю.А. Серебряков, И.А. Прохоров. Некоторые результаты выращивания кристаллов полупроводников в условиях микрогравитации (к 50-летию полёта Ю.А. Гагарина в космос). // Физика твёрдого тела, 2012, Т. 54, № 7, С. 1264-1268.
4. Ю.А. Серебряков, В.Н. Власов, В.С. Сидоров, И.А. Прохоров, И.Л. Шульпина, Е.Н. Коробейникова. Сравнительные исследования особенностей формирования примесной неоднородности в кристаллах GaSb:Te при направленной кристаллизации в космических и наземных условиях. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2012, № 7, С. 59-67.
5. В.А. Мелик-Шахназаров, В.И. Стрелов, Д.В. Софиянчук, И.Ж. Безбах. Электронные цепи управления для активных виброзащитных устройств нового поколения. // Научное приборостроение, 2012, Т. 22, № 3, С. 46-52.
6. Л.В. Кожитов, В.В. Козлов, А.В. Костикова (Костяева), А.В. Попкова. Новые металлоуглеродные нанокомпозиты и углеродный нанокристаллический материал с перспективными свойствами для развития электроники. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 2012, № 3, С. 60-68.
7. И.Ж. Безбах, В.А. Мелик-Шахназаров, Д.В. Софиянчук, В.И. Стрелов. Новая конструкция активных виброзащитных устройств. // Наука и образование: электронное научно-техническое издание, 2012, № 9; DOI: 10.7463/0912.0455678.
8. Б.Г. Киселев, Е.В. Якушко, А.В. Попкова, А.В. Костикова (Костяева), А.В. Рахленко. Рынок нанокремния. // Цветные металлы, 2012, № 11, С. 7-11.
9. Б.Г. Киселев, В.В. Козлов, Е.И. Добрякова, А.В. Костикова (Костяева), А.В. Попкова. Области применения и анализ рынка потребления графена. // Цветные металлы, 2012, № 12, С. 7-10.
10. L. Kozhitov, A. Kostikova (Kostiaeva), V. Kozlov, Zh. Myrkhalykov, A. Saipov. Features of FeNi3 nanoparticles in polyacrylonitrile formation under infrared heating. // Industrial Technology and Engineering, 2012, № 2 (03), P. 5-10.
11. L.V. Kozhitov, A.V. Kostikova (Kostiaeva), V.V. Kozlov, M.Ph. Bulatov. The FeNi3/C Nanocomposite Formation from the Composite of Fe and Ni Salts and Polyacrylonitrile under IR-Heating. // Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2012, V. 7, № 4, P. 419-422.
За 2011 год:
1. Л.В. Кожитов, А.В. Костикова (Костяева), В.В. Козлов, В.И. Хурса. Синтез нанокомпозита FeNi3/C из системы FeCl3·6H2O/NiCl2·6H2O/полиакрилонитрил при помощи нагрева инфракрасным излучением. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 2011, № 3, С. 48-52.
2. Б.Г. Киселев, Л.В. Кожитов, В.В. Козлов, И.В. Ельцина, А.В. Костикова (Костяева). Рынок нанопродукции: перспективы и ограничения. // Цветные металлы, 2011, № 10, С. 6-9.
3. V.I. Strelov, E.N. Korobeynikova, V.I. Folomeev. Control of Convective Processes in a Melt for Growth of Doped Semiconductor Crystals with High Homogeneity of Properties. // Crystal Growth & Design, 2011, V. 11, Issue 1, P. 69-74.
4. I.L. Shul'pina, R.N. Kyutt, V.V. Ratnikov, I.A. Prokhorov, I.Zh. Bezbakh, M.P. Shcheglov. X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2011, V. 14, № 1, P. 62-70.
За 2010 год:
1. И.Л. Шульпина, Р.Н. Кютт, В.В. Ратников, И.А. Прохоров, И.Ж. Безбах, М.П. Щеглов. Методы рентгеновской дифракционной диагностики сильнолегированных монокристаллов полупроводников. // Журнал технической физики, 2010, Т. 80, № 4, С. 105-114.
Патенты:
1. В.И. Стрелов, Б.Г. Захаров, П.А. Ананьев, Ю.А. Серебряков. Патент "Способ выращивания кристаллов", получен в 2003 г. Номер патента 2199614.
2. Б.Г. Захаров, В.И. Стрелов, В.С. Сидоров. Патент на изобретение "Устройство для выращивания кристаллов", получен в 2003 г. Номер патента 2199615.
3. В.И. Мелик-Шахназаров, Б.Г. Захаров, Е.М. Нагаев. Патент на изобретение "Система активной защиты от микроускорений/вибраций с разделением мод колебаний", получен в 2005 г. Номер патента 2275672.
4. В.И. Мелик-Шахназаров, Б.Г. Захаров, Е.М. Нагаев, Д.В. Сунцов. Патент на изобретение "Активная виброзащитная панель (бокс) с компенсацией сигнала наклона акселерометров для стационарных условий и транспортных средств", получен в 2008 г. Номер патента 2337390.
5. В.А. Мелик-Шахназаров, Б.Г. Захаров. Патент на изобретение "Активный изолятор источников вибраций", получен в 2010 г. Номер патента 2395736.
6. В.Н. Власов, Ю.А. Серебряков, В.И. Стрелов. Патент на полезную модель "Устройство для измерения концентрации носителей заряда в полупроводниковых материалах", получен в 2011 г. Номер патента 103933.
7. А.В. Костяева (Костикова). Патент "Способ получения нанокомпозита
8. И.Ж. Безбах, В.А. Мелик-Шахназаров, Д.В. Софиянчук, В.И. Стрелов. Патент на полезную модель "Активное двухкаскадное виброзащитное устройство", получен в 2013 г. Номер патента 125363.
9. А.В. Костяева (Костикова). Ноу-хау "Способ получения нанокомпозита
10. В.Н. Власов, Ю.А. Серебряков, В.И. Стрелов. Патент на полезную модель "Устройство для измерения распределения удельного сопротивления в полупроводниковых материалах", получен в 2014 г. Номер патента 145584.