logo

logo

Основные публикации
 

За 2020 год:

1. Р.В. Гайнутдинов, А.Л. Толстихина, Е.В. Селезнева, И.П. Макарова. Методы атомно-силовой микроскопии для исследования суперпротонных кристаллов. // Журнал технической физики, 2020. С. 1843-1849.
DOI 10.21883/JTF.2020.11.49972.116-20

2. T.R. Volk, Y.V. Bodnarchuk, R.V. Gainutdinov, L.I. Ivleva. Anomalous domains formed under AFM-TIP voltages in Sr 0.61 Ba 0.39 Nb 2 O 6 crystals and their suppression. // Applied Physics Letters, 2020. P. 52902.
DOI: 10.1063/5.0016308

 

За 2019 год:

1. V. Gainutdinov, N.V. Belugina, A.K. Lashkova, V.N. Shut, I.F. Kashevich, S.E. Mozzharov, A.L. Tolstikhina. Scanning capacitance microscopy of TGS – TGS+Cr ferroelectric crystals R. // Ferroelectrics, 2019. V. 541. P. 39-46.
DOI:10.1080/00150193.2019.1574640

2. Р.В. Гайнутдинов, А.Л. Толстихина, А.К. Лашкова, Н.В. Белугина, В.Н. Шут, С.Е. Мозжаров, И.Ф. Кашевич. Применение сканирующей емкостной силовой микроскопии для выявления примесных фаз в сегнетоэлектрике триглицинсульфат. // Журнал технической физики, 2019. С. 1692-1698
DOI: 10.1134/S1063784219110094

3. R. Gainutdinov, Y. Bodnarchuk, T.R. Volk, X. Wei, X. Liu. Domain patterning in PMN-0.4PT crystals by AFM-tip voltages, the normal and anomalous domain. // Journal of Applied Physics, 2019. V. 126. P. 024101.

 

За 2018 год:

1. Р.В. Гайнутдинов, А.Л. Толстихина, Н.В. Белугина, Б.С. Рощин, Д.А. Золотов, В.Е. Асадчиков, В.Н. Шут, И.Ф. Кашевич, С.Е. Мозжаров. Сканирующая емкостная микроскопия кристаллов триглицинсульфата с профильным распределением примеси хрома. // Кристаллография, 2018. Т. 63, С. 766-772.
DOI: 10.1134/S0023476118050119

2. A.L. Tolstikhina, R.V. Gainutdinov, N.V. Belugina, A.K. Lashkova, А.S. Кalinin, V.V. Atepalikhin, V.V. Polyakov, V.A. Bykov. Study of the quasi – periodic one dimensional domain structure near TC of TGS crystal by PFM and Hybrid PFM methods. // Physica B: Condensed Matter, 2018. V. 550. P. 332-339.

 

За 2017 год:

1. А.Л. Толстихина, Н.В. Белугина, Р.В Гайнутдинов. Использование трансформант Фурье для анализа изображений доменной структуры одноосного сегнетоэлектрика. // Кристаллография, 2017. Т. 62. С. 478-483.
DOI: 10.7868/S0023476117030225

2. G.I. Ovchinnikova, A.P. Eremeev, N.V. Belugina, R.V. Gainutdinov, E.S. Ivanova, A.L. Tolstikhina. Dielectric Losses of Triglycine Sulfate Crystal at Heating and Cooling. // Physics of Wave Phenomena, 2017. V. 25. P. 231-237.
DOI: 10.3103/S1541308X17030116

3. Р. В. Гайнутдинов, Е. С. Иванова, Е. А. Петржик, А. К. Лашкова, Т. Р. Волк. Эффекты магнитной памяти в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата. // Письма в ЖЭТФ, 2017. Т. 106. С. 84-89.
DOI: 10.7868/S0370274X17140065

4. T.R. Volk, RV. Gainutdinov, H. Zhang. Domain-wall conduction in AFM-written domain patterns in ion-sliced LiNbO3 films. // Applied Physics Letters, 2017. V. 110. P. 132905.
DOI: 10.1063/1.4978857

 

За 2016 год:

1. Г.И. Овчинникова, Н.В. Белугина, Р.В. Гайнутдинов, Е.С. Иванова, В.В. Гребенев, А.К. Лашкова, А.Л. Толстихина. Температурная динамика доменной структуры триглицинсульфата по данным атомно-силовой микроскопии и диэлектрической спектроскопии. // ФТТ, 2016. Т. 58. С. 2164-2170.
DOI: 10.1134/S1063783416110305

2. А.Л. Толстихина, Н.В. Белугина, Р.В. Гайнутдинов, Е.С. Иванова, А.К. Лашкова, В.Н. Шут, И.Ф. Кашевич, С.Е. Мозжаров. Доменная структура и свойства кристаллов TGS, послойно легированных примесью D,L-α –и L-α – аланина. // Кристаллография, 2016. Т. 61. С. 960-966.
DOI: 10.1134/S106377451606016X