Установка для выращивания кристаллов по методу Чохральского Ника 2

 

 

Установка предназначена для выращивания широкого спектра монокристаллов с температурой плавления до 2200оС, которые находят применение в лазерной технике, микро-, опто- и акустоэлектронике.

 

Установка для выращивания кристаллов по методу Бриджмена КРФ

 

 

Внешний вид двухсекционной ростовой установки

(а); упрощенная конструкция узла нагрева печи: 1 – кожух водоохлаждаемой камеры;

2 – независимые блоки радиационных тепловых экранов (графит/угольный войлок);

3 – верхний и нижний нагреватели сопротивления;

4 – графитовый тигель;

5 – графитовая (молибденовая) диафрагма;

6 – тяга с опорным держателем тигля и внутренней термопарой W/Re (b) и осевое распределение температуры по длине ростовой камеры при различных соотношениях электрических мощностей верхнего (W1) и нижнего (W2) нагревателей сопротивления (c).

 

Установка позволяет выращивать кристаллы высокотемпературных неорганических фторидов диаметром до 80 мм и длиной до 140 мм как в вакууме, так и во фторирующей атмосфере. Верхний температурный предел 2250 К. Предусмотрено глубокое вакуумирование ростовой камеры до остаточного давления 10-3 Па с помощью турбомолекулярной насосной системы.

 

Установка для выращивания кристаллов по методу Чохральского КРОТ-С

 

Высокоэнергетическая шаровая планетарная мельница Retsch PM-200 позволяет:
- быстро измельчать твердые материалы до нанодиапазона,
- дает воспроизводимые результаты благодаря системе контроля энергии и скорости измельчения,
- имеет два различных режима измельчения - сухой и влажный.