Установка для исследования молекулярно-лучевой эпитаксии.
Установка предназначена для проведения следующих экспериментов:
–  исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии на кристалле CdTe методом масс-спектрометрии in situ. Для измерения кинетических параметров используются модулированные молекулярные пучки Cd и Te₂.
–  изучение начальных стадий роста плёнки CdTe на сапфире и условия зарождения островков при МЛЭ из пучков Cd и Te₂.
–  исследования начальных стадий роста плёнки Te на сапфире и условия зарождения островков из пучка Te₂.
Используемый измерительный комплекс отличается от типичной технологической установки МЛЭ. В камере роста имеются четыре источника молекулярных пучков, два из которых можно модулировать с частотой до 1 кГц. Потоки десорбции с поверхности кристалла регистрируются встроенным масс-спектрометром, что позволяет непосредственно измерять временные характеристики переходных процессов на поверхности кристалла. Знание этих характеристик даёт возможность определять параметры элементарных процессов взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью твердых тел (концентрация адсорбированных частиц, время адсорбции, длина диффузионного пробега по поверхности). Именно эти параметры определяют режим роста плёнки, особенно на начальной стадии. Изучение начальных стадий роста плёнок, т. е. процессов происходящих на поверхности подложки при нанесении исходных компонентов получаемых плёнок, позволяет в дальнейшем управлять процессом роста и получать совершенные монокристаллические плёнки.
Процессы конденсации и испарения проходят в неравновесных условиях. Результаты наших экспериментов позволяют предложить модель и рассчитать некоторые кинетические параметры этих неравновесных процессов.

Нанотехнологический комплекс на основе сканирующего зондового микроскопа и растрового электронного микроскопа для разработок в области наноэлектроники и биоинженерии Нанофаб 100.
Нанотехнологический комплекс (НТК) семейства Нанофаб 100 имеет модульную конструкцию и может быть использован для исследовательских целей в различных областях нанотехнологии (микро- и наноэлектроника, нанофотоника, наноматериаловедение и пр.). В состав комлекса входит модуль вакуумного атомно-силового микроскопа (АСМ), камера загрузки и камера смены зондов АСМ. Модуль позволяет в условиях вакуума проводить измерения в следующих основные методики АСМ: контактная, полуконтактная, СТМ-методики, спектроскопию.

Установка вакуумная термического напыления.
Установка предназначена для вакуумного препарирования объектов методом термического напыления. В процессе термическое напыление использует два физических процесса: испарение нагретого исходного материала и конденсацию его на подложке. Данная установка оборудована системой безмаслянной откачки, имеет три лодочки для напыления различных материалов и использует систему подогрева подложек до 500 ℃. Конструкция держателя подложек позволяет использовать подложки размерами до 2-х дюймов.