За 2020 год:

1. Н.А. Архарова, А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, А.Ш. Асваров, А.М. Исмаилов, В.В. Клечковская, В.М. Каневский. Эпитаксия пленок ZnO на поверхности кристаллических подложек из гексаалюмината лантана-магния LaMgAl₁₁O₁₉. // Кристаллография, 2020. Т. 65. №& 3. С. 487–491.
2. В.Е. Асадчиков, А.Е. Благов, А.В. Буташин, Ю.О. Волков, А.Н. Дерябин, В.М. Каневский, А.Э. Муслимов, А.И. Проценко, Б.С. Рощин, А.В. Таргонский, Ф.Н. Чуховский. Латеральные неоднородности сапфировых пластин по данным рентгеновских и зондовых методов. // ЖТФ, 2020. Т. 90. В. 3. С. 419-426.
3. A.S. Asvarov, A.V. Butashin, V.M. Kanevsky, A.E. Muslimov, N.S. Perov, A. Chiolerio. Structural, optical and magnetic properties of a dilute magnetic semiconductor based on Ga-doped ZnO and Co. // Semiconductor Science and Technology, 2020. V. 35. P. 105003. 

4. Асваров А.Ш., Каневский В.М., Муслимов А.Э., Буташин А.В., Алиев М.А. Исследование процесса магнетронного осаждения слоев цинка с развитой удельной поверхностью. // Сборник «XXVIII Российская конференция по электронной микроскопии «Современные методы электронной, зондовой микроскопии и комплементарных методов исследованиях наноструктур и наноматериалов», 2020. Т. 2. С. 232-233.
5. Муслимов А.Э., Буташин А.В., Асваров А.Ш., Григорьев Ю.В., Каневский В.М. Электронная микроскопия в изучении процессов твердофазного синтеза пленок ферритов никеля. // Сборник «XXVIII Российская конференция по электронной микроскопии «Современные методы электронной, зондовой микроскопии и комплементарных методов исследованиях наноструктур и наноматериалов», 2020. Т. 2. С. 238-239.
6. А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, А.Ш. Асваров, В.М. Каневский. Получение нанопористых пленок в процессе твердофазных реакций. // Российские нанотехнологии, 2020. Т. 15. № 6. С. 84–89.

За 2019 год:

1. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.М. Каневский. Твердофазная эпитаксия пленок BiFeO3 с магнитоэлектрическими свойствами на сапфире. // Письма в ЖТФ, 2019. Т. 45. В. 3. С. 37-40.

2. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.И. Михайлов, В.М. Каневский. Молекулярно-лучевая эпитаксия пленок CdTe на сапфире в потоке быстрых электронов. // Фундаментальные проблемы современного материаловедения, 2019. Т. 16. №1. С. 125-130.
3. А. Э. Муслимов, А.В. Буташин, Ю.В. Григорьев, В. М. Каневский. Перестройка сверхгладкой поверхности кристаллов La3Ga5SiO14 при термическом воздействии. // Письма в ЖЭТФ, 2019. Т. 109. В. 9. С. 632 – 636.
5. А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, В.А. Федоров, А.Ш. Асваров, А.М. Исмаилов, В.М. Каневский. Особенности строения сверхгладкой поверхности (0001) монокристаллов LaMgAl11O19 со структурой магнетоплюмбита. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2019. № 10. С. 65-68.

6. А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, А.Ш. Асваров, Л.А. Задорожная, А.С. Лавриков, В.М. Каневский. Синтез и микроскопия тонких пленок со структурой шпинели на сапфировых подложках. // Сборник «Электронно-лучевые технологии», 2019. С. 161

7. А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, А.Ш. Асваров, В.М. Каневский. Гексаалюминат лантана-магния – новый подложечный материал. // Сборник тезисов «Электронно-лучевые технологии», 2019. С. 164.

8. А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, В.М. Каневский. Тонкие кристаллические пленки ферритов никеля, кобальта и висмута: получение и магнитно-силовая микроскопия. // Сборник тезисов «LIII Школа ПИЯФ по физике конденсированного состояния», 2019. С. 85.

9. А.Э. Муслимов. А.В. Буташин, В.М. Каневский. Рост пленок CdTe на подложках сапфира с использованием наклонной геометрии осаждения вещества из газовой фазы. // Сборник тезисов «LIII Школа ПИЯФ по физике конденсированного состояния», 2019. С. 135

10. А.Ш. Асваров, А.К. Ахмедов, А.Э. Муслимов, В.М. Каневский, А.В. Буташин. SPS Синтез керамики на основе сульфида самария. // Сборник тезисов «Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов», 2019. С. 42.
11. А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, А.Ш. Асваров, Н.А. Архарова, В.В. Клечковская, В.М. Каневский. Эпитаксия пленок ZnO И BaFe12O19 на кристаллических подложках гексаалюмината лантана-магния LaMgAl11O19. // Сборник тезисов «Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов», 2019. С. 61.
12. А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, А.Ш. Асваров, В.М. Каневский. Особенности синтеза кристаллических пленок соструктурой шпинели на C- и R-подложках сапфира. // Сборник тезисов «Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов», 2019. С. 62.
13. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин,В.М. Каневский. Структурные аспекты эволюции сверхгладкой поверхности ионных кристаллов. применение в эпитаксиальных технологиях. // Сборник тезисов «Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов», 2019. С. 160.
14. А.Э. Муслимов, А.В.Буташин, В.М. Каневский. Термоэлектрические явления в монокристаллах пентаоксида ванадия V2O5. // Сборник тезисов «Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов», 2019. С. 161.
15. А. В. Буташин, А.Э. Муслимов, А.Ш. Асваров, А.М. Исмаилов, В.А. Бабаев, В.М. Каневский. Особенности строения псевдоморфных пленок со структурой шпинели на R-подложках сапфира. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2019. № 12. С. 56-60.

16. А.М. Исмаилов, М.Х. Рабаданов, А.Э. Муслимов, А.В. Буташин. Наноструктурированные пленки и нитевидные кристаллы (вискеры) оксида цинка: синтез и свойства. // Нанотехнологии и перспективные материалы, 2019. С. 44-79. 

За 2018 год:

1. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.М. Каневский, А.Н. Дерябин, Е.А. Вовк, В.А. Бабаев. Нанорельефная поверхность сапфира как отражение кристаллической структуры. Ее применение в технологии нитридов. // Кристаллография, 2018. Т. 63. № 2. С. 254-260.

2. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.М. Каневский. Влияние напряжений на магнитные свойства пленок NiFe2O4 и CoFe2O4 на сапфире. // Письма в ЖТФ, 2018. Т. 44. В. 16. С. 57-66.

3. А. Э. Муслимов, А. В. Буташин, В. М. Каневский. Обратный магнитоэлектрический эффект в нанокристаллах феррита висмута. // Прикладная физика, 2018. № 2. В. 2. С. 53.

4. А. В. Буташин, А. Э. Муслимов, В. М. Каневский. Контролируемое формирование слоев графена термодеструкцией SiC в потоке атомов железа. // Прикладная физика, 2018. № 3. С. 74-77.

5. А.Б. Колымагин, А.Э. Муслимов, А.В. Буташин. Б.В. Набатов, В.М. Каневский. Исследование фотопроводящих свойств в тонких пленках соединений системы Ga2O3-In2O3 на подложках Al2O3. // Сборник тезисов «LII Школа ПИЯФ и Молодежная конференция по физике конденсированного состояния», 2018. С. 121.

6. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин. А.Б. Колымагин, В.М. Каневский. Получение пленок AlN высокотемпературной нитридизацией алюминия на поверхности сапфира. // «LII Школа ПИЯФ и Молодежная конференция по физике конденсированного состояния», 2018 г. С. 136.

7. В.М. Каневский, А.Э. Муслимов, А.В. Буташин. Магнитные свойства поликристаллических и аморфных пленок ферритов кобальта и никеля. // Поверхность, 2018. № 12. С. 17-21.

8. В.П. Власов, В.М. Каневский, А.В. Буташин, А.Э. Муслимов. Электрическая активность ступеней на поверхности сапфировых подложек под эпитаксию. // Поверхность, 2018. № 10. С. 92-95.

9. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.М. Каневский. АСМ исследования высокотемпературной перестройки поверхности кристаллов лангасита. // Фундаментальные проблемы современного материаловедения, 2018. Т.15. № 3. С. 380-385.

10. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, А.Б. Колымагин, В.М. Каневский. Комплексная микроскопия пленок AlN, полученных твердофазной эпитаксией на поверхности сапфира. / // Сборник тезисов «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов», 2018. Т. 1. С. 373-374.

11. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, С.С. Старчиков, В.М. Каневский. Зондовая микроскопия и спектроскопические исследования вакуумной термодеструкции поверхности кристаллов SiC при синтезе графена в потоке железа. // Сборник тезисов «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов», 2018. Т. 2. С. 151-152.

12. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.М. Каневский. Применение зондовой микроскопии для изучения электрофизических свойств и структурной перестройки поверхности кристаллов V2O5 в процессе вакуумного отжига. // Сборник тезисов «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов», 2018. Т. 2. С. 153-154.

13. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.М. Каневский Магнитно-силовая микроскопия пленок ферритов висмута, никеля, кобальта. // Сборник тезисов «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов», 2018. Т. 2. С. 155-156.

14. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.М. Каневский. Зондовая и электронная микроскопия селективнофотопроводящих пленок β-Ga2О3- In2O3, полученных твердофазной эпитаксией. // Сборник тезисов «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов», 2018. Т. 2. С. 157-158.

За 2017 год:

1. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.П. Власов, С.Н. Сульянов, В.М. Каневский. Сканирующая туннельная микроскопия атомно-гладкой (001) поверхности кристаллов пентаоксида ванадия V2O5. // Кристаллография, 2017. Т 62. № 1. С. 120-123.

2. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.М. Каневский. Олеофобные свойства террасно-ступенчатой поверхности сапфира. // Кристаллография, 2017. Т. 62. № 2. С. 276–280.

3. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, Б.В. Набатов, А.А. Коновко, И.В. Белов, Р.М. Гизетдинов, А.В. Андреев, В.М. Каневский. Фотоника 2D-наноразмерных слоев золота на поверхности сапфира. // Кристаллография, 2017. Т. 62. № 2. С. 281–290.

4. А. Э. Муслимов, А. В. Буташин, В. М. Каневский, В. А. Бабаев, Н. М.-Р. Алиханов. Эпитаксия CdTe на подложках сапфира с буферными слоями титана. // Кристаллография, 2017. Т. 62. № 3. С. 459–463.

5. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В. М. Каневский, В.А. Бабаев, А.М. Исмаилов. Каталитическая эпитаксия вискеров ZnO по механизму пар–кристалл. // Кристаллография, 2017. Т. 62. № 3. С. 464–468.

6. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, И.С. Смирнов, А.М. Исмаилов, В.А.Бабаев, Е.А. Вовк, В.М. Каневский. Ориентационные изменения в кристаллических пленках ZnO на темплейтах AlN/α-Al2O3 в результате термического воздействия. // Прикладная физика, 2017. № 2. С. 67-72.

7. А.Б. Колымагин, В.А. Бабаев, В.М. Каневский. Эволюция поверхности кристаллов пентаоксида ванадия V2O5 в результате вакуумного отжига. // Кристаллография, 2017. Т. 62. № 5. С. 789-794.

8. М.Ю. Цветков, Н.В. Минаев, А.А. Акованцева, Г.И. Пудовкина, П.С. Тимашев, С.И. Цыпина, В.И. Юсупов, А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.М. Каневский, В.Н. Баграташвили. Травление сапфира в сверхкритической воде при ультравысоких температурах и давлениях в условиях импульсной лазерной термоплазмоники. // Сверхкритические флюиды: теория и практика, 2017. Т. 12. №. 2. С. 68-79.

9. А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, А.Б. Колымагин, А.М.Клевачев,С.Н. Сульянов, В.М. Каневский. Структура пленок AlN, полученных нитридизацией слоев алюминия на сапфировых подложках. // Прикладная физика, 2017. № 5. С. 87-91.

10. А. Э. Муслимов, А. В. Буташин, А. Б. Колымагин, Б. В. Набатов, В. М. Каневский. Тонкие пленки системы Ga2O3–In2O3 на подложках сапфира: синтез и фотопроводимость в ультрафиолетовом диапазоне спектра // Кристаллография. 2017. Т. 62. № 6. С. 949–955.

11. А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, А.Б. Колымагин, Д.А.Бизяев, Р.И.Хайбулин, П.А.Просеков, В.М. Каневский. Структура и магнитные свойства наноразмерных пленок ферритов кобальта и никеля на сапфировых подложках. // Прикладная физика, 2017. № 4. С. 60-65.

12. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.М. Каневский . Управляемая перестройка поверхности сапфира для формирования эпитаксиальных наноструктур. // Сборник «Кристаллография и деформационное поведение перспективных материалов», 2017. С 143.

13. А. Э. Муслимов, А. В. Буташин, A. Н. Дерябин, Ш. М. Рамазанов, Н. М. Алиханов, В. М. Каневский. Влияние рельефа ромбоэдрической плоскости кристаллов сапфира на эпитаксию пленок BiFeO3. // 2017. Сборник «LI Школа ПИЯФ по физике конденсированного состояния», 2017. С. 77.

За 2016 год:

1. В.П. Власов, А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.М. Каневский. Эволюция вицинальной поверхности (0001) лейкосапфира при отжиге на воздухе. // Кристаллография, 2016. Т. 61. № 1. С. 65-69.

2. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, А.Б. Колымагин, А.Л. Васильев, В.М. Каневский. Реальная структура эпитаксиальных пленок ZnO на подложках (0001) лейкосапфира со сверхтонкими слоями золота. // Кристаллография, 2016. Т. 61. № 1. С. 70-73.

3. V.E. Asadchikov, A.V. Butashin, A.V. Buzmakov, A.N. Deryabin,V.M. Kanevsky, I.A Prokhorov, B.S. Roshchin,Y.O. Volkov, D.A Zolotov, A. Jafari, P. Alexeev, A. Cecilia, T. Baumbach, D. Bessas, A.N. Danilewsky, I. Sergueev, H.-C. Wille, R.P. Hermann. Single-crystal sapphire microstructure for high-resolution synchrotron X-ray monochromators. // Crystal Research and Technology, 2016. V. 51. № 4. P. 290–298.

4. P. Alexeev V. Asadchikov, D. Bessas A. Butashin A. Deryabin, F. Dill, A. Ehnes, M. Herlitschke, R.P. Hermann, A. Jafari, I. Prokhorov, B. Roshchin, R. Röhlsberger, K. Schlage, I. Sergueev, A. Siemens, H. Wille. The sapphire backscattering monochromator at the Dynamics beamline P01 of PETRA III. // Hyperfine Interactions, 2016. V. 237. № 1. A. 59.

5. А.Э. Муслимов, В.Е. Асадчиков, А.В. Буташин, В.П. Власов, А.Н. Дерябин, Б.С. Рощин, С.Н. Сульянов, В.М. Каневский. Сверхгладкая и модифицированная поверхность кристаллов сапфира: получение, характеризация и применение в нанотехнология. // Кристаллография, 2016. Т. 61. № 5. С. 703–717.

6. А. Э. Муслимов, А. В. Буташин, В. П. Власов, В. М. Каневский. Газофазная эпитаксия CdTe на сапфировые подложки в зависимости от ориентации газового потока. // Кристаллография, 2016. Т. 61. № 6. С. 982–987.

7. А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, А.Л. Васильев, Ю.В. Григорьев, В.М. Каневский. Строение оксидных пленок, полученных отжигом пленок алюминия на (0001) сапфировых подложках. // Прикладная физика, 2016. № 6. С. 77-82.

8. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, А.Б. Колымагин, С.Н. Сульянов, В.М. Каневский, Р.Г. Валеев. Электронная и зондовая микроскопия наноструктур «анодированный алюминий на сапфире». // Сборник тезисов «XXVI Российская конференция по электронной микроскопии», 2016. С. 100-101.

9. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, В.П.Власов, Ю.В.Григорьев, В.М. Каневский. Электронная и зондовая микроскопия эпитаксиальных пленок CdTe на поверхности сапфира. // Сборник тезисов «XXVI Российская конференция по электронной микроскопии», 2016. С. 102-103.

10. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, Ю.В. Григорьев, А.Л. Васильев, А.Б. Колымагин, В.М. Каневский. Электронная и зондовая микроскопия кристаллических слоев на поверхности сапфира после термообработки металлических пленок на ней в различной атмосфере. // Сборник тезисов «XXVI Российская конференция по электронной микроскопии», 2016. С. 104-105.

11. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, А.Б. Колымагин, А.Л. Васильев, В.М. Каневский, А.Б. Исмаилов. Микроскопическое исследование реальной структуры эпитаксиальных пленок ZnO на сапфировых (0001) подложках с буферными нанослоями золота. // Сборник тезисов «XXVI Российская конференция по электронной микроскопии», 2016. С. 106-107.

12. А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, А.Б. Колымагин, В.П.Власов, В.М. Каневский Зондовая микроскопия террасно-ступенчатой наноструктуры на (0001) поверхности сапфира: морфологические переходы при отжиге на воздухе. // Сборник тезисов «XXVI Российская конференция по электронной микроскопии», 2016. С. 274-275.

13. А.М. Ополченцев, А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, А.Н. Дерябин, В.М. Каневский. Изучение механических свойств поверхности кристаллов сапфира после различных типов обработки методом зондовой микроскопии (наноиндентирование и склерометрия). // Сборник тезисов «XXVI Российская конференция по электронной микроскопии», 2016. С. 278-279.

14. Муслимов А.Э., Буташин А.В., Каневский В.М. и др. Формирование пленок ZnO и двойных пленок ZnO/AlN на подложках лейкосапфира с высокой скоростью роста. // Сборник тезисов «50-я Школа ПИЯФ по физике конденсированного состояния», 2016. С.123.

15. Муслимов А.Э., Буташин А.В.,Власов В.П., Каневский В.М. Наноструктурированная поверхность как отражение кристаллической структуры кристаллов. Ее применение в технологиях. // Сборник тезисов «1 Российский кристаллографический конгресс», 2016. С. 37.

16. В.Е. Асадчиков, П. Алексеев, Д. Бессас, А.В. Буташин, А.В. Бузмаков, Г.-Х. Вилле, А. Данилевский, А.Н. Дерябин, А. Джафари, В.М. Каневский, А.Э. Муслимов, И.А. Прохоров, Б.С. Рощин, А. Сесилия, И. Сергеев, Ю. Хартвиг, Р.П. Херманн, А. Чумаков. Перспективы применения монокристаллического сапфира в рентгеновской оптике. // Сборник тезисов «1 Российский кристаллографический конгресс», 2016. С. 151.

Патенты:

1. Каневский В.М., Буташин А.В. Колымагин А.Б., Елчин Д. Ю., Муслимов А.Э. Беспроводное устройство для измерения температуры. // Патент на изобретение № 2690719, 2019 г.

2. Буташин А.В., Гаджиев М.Х., Каневский В.М., Муслимов А.Э., Тюфтяев А.С. Способ азотирования оксидных соединений, находящихся в твердой фазе. // Патент на изобретение № 2713008, 2020 г.

3. А.В. Буташин, И.Д. Веневцев, А.Э. Муслимов, В.М. Каневский, П.А. Родный, Л.А. Задорожная, В.Н. Яшков. Способ изготовления сцинтиллятора для датчиков регистрации ионизирующих излучений, устройство для его осуществления и сцинтиллятор для датчиков регистрации ионизирующих излучений. // Патент на изобретение RU 2737506 C1, 2020.

1. В.М. Каневский, А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, А.М. Исмаилов. Способ травления поверхности сапфировых пластин. // Патент RU 2771457 C1, 04.05.2022. Бюл. №13.

2. А.В. Буташин, М.Х. Гаджиев, А.Э. Муслимов, В.М. Каневский, А.С. Тюфтяев Способ азотирования покрытий из оксида титана на твердой подложке. // Патент RU №2775988, 12.07.2022. Бюл. №20.

3. А.В. Буташин, М.Х. Гаджиев, А.Э. Муслимов, В.М. Каневский, А.С. Тюфтяев. Способ азотирования покрытий из оксида титана на твердой подложке. // Патент RU №2785576, 08.12.2022. Бюл. №34.

4. В.М. Каневский, А.Э. Муслимов, А.В. Буташин, А.М. Исмаилов, Л.Л. Эмирасланова, И.Д. Веневцев. Сцинтиллятор для регистрации ионизирующих излучений. // Патент на полезную модель. RU №215399, 12.12.2022. Бюл. №35.

5. А.В. Буташин, М.Х. Гаджиев, В.М. Каневский, А.Э. Муслимов, А.С. Тюфтяев. Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария. // Патент на изобретение. RU №2786771 C1, 26.12.2022. Бюл. №36.

8. А.В. Буташин, А.Э. Муслимов, В.М. Каневский, В.И. Зайцев, И.А. Барыков, В.А. Федоров. Гальванический датчик импульсного рентгеновского излучения. // Патент на полезную модель RU №215 606, 20.12.2022. Бюл. №35.